可控硅
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【产品特性】:
1、内部芯片采用双面台面结构(Single Mesa);背面(阳极)电极金属:Ti-Ni-Ag; P+对同扩散隔离;台面玻璃钝化工艺;
2、较高的阻断电压和抗电流冲击能力;
3、ITRMS:0.6A-20A
4、封装形式:SOT-89、TO-252、TO-263、SOT-223等
【主要用途】:
固态继电器;数码相机闪光器;触摸开关;漏电保护器;电子镇流器...

型号 IT(RMS)[A] VDRM[V] IGT[mA] VGT[V] IDRM[uA] IH[mA] Package 下载
BTA60-1200BW 60A 1200V 50mA 1.3V 20uA 60mA iTO-247
BTA60-1600BW 60A 1600V 50mA 1.3V 20uA 60mA iTO-247
BTA80-1200BW 80A 1200V 50mA 1.3V 20uA 80mA iTO-247
BTA80-1600BW 80A 1600V 50mA 1.3V 20uA 80mA iTO-247
BTA100-1200BW 100A 1200V 50mA 1.3V 20uA 100mA iTO-247
BTA100-1600BW 100A 1600V 50mA 1.3V 20uA 100mA iTO-247
GSA130-1800 130A 1800V 80mA 1.5V 50uA 150mA ITO-247
GSA110-1800 110A 1800V 80mA 1.5V 50uA 150mA ITO-247
GSA90-1800 90A 1800V 80mA 1.5V 50uA 150mA ITO-247
GSA75-1800 75A 1800V 80mA 1.5V 50uA 150mA ITO-247
2P4M 2.0A 400V 10-30uA 0.8V 0.1mA 5.0mA TO-126
2P4MM 2.0A 600V 10-30uA 0.8V 0.1mA 5.0mA SOT-89
BT169DH 1.5A 600V 10-30uA 0.8V 0.1mA 5.0mA TO-92
BT150-600R 4.0A 600V 15mA 1.5V 0.1mA 5.0mA TO-220
BTA20-600BW 20.0A 600V 50mA 1.5V 10uA 60mA TO-220A
BTA20-600CW 20.0A 600V 35mA 1.5V 10uA 60mA TO-220A

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